ZVP4424GTC【PDF 1/3 页】MOSFET P-CHAN 240V SOT223

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SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 - OCTOBER 1995

FEATURES

* 240 Volt V DS

* R DS(on) = 8.8 ? typical at V GS =-3.5V

* Low threshold and Fast switching

APPLICATIONS

* Electronic hook switches

* Telecoms and Battery powered equipment

ZVP4424G

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

ZVN4424G

ZVP4424

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current at T amb =25°C

Pulsed Drain Current

Gate Source Voltage

Power Dissipation at T amb =25°C

Operating and Storage Temperature Range

SYMBOL

V DS

I D

I DM

V GS

P tot

T j :T stg

VALUE

-240

-480

-1.0

± 40

2.5

-55 to +150

UNIT

°C

3 - 438

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ZVP4424Z 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

ZVP4424ZTA 功能描述:MOSFET P Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVP4525 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ZVP4525E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:

ZVP4525E6(1) 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:

ZVP4525E6TA 功能描述:MOSFET P-Chnl 250V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVP4525E6TC 功能描述:MOSFET P-Chnl 250V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

ZVP4525G 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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